Ученые из Петербурга разработали метод для работы с алмазом как с полупроводником

Такой проект сможет работать в экстремальных условиях

Ученые из Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» совместно с коллегами из Петербургского государственного университета (СПбГУ) разработали метод для работы с алмазом как с полупроводником в микроэлектронике. Компонентная база на основе алмаза с точно измеренными примесями бора в перспективе сможет работать в экстремальных условиях, в том числе в космосе, рассказал ТАСС профессор кафедры микро- и наноэлектроники ЛЭТИ Василий Зубков. «Предложенная методика найдет применение в научных и R&D-разработках структур на основе алмаза. В перспективе, в зависимости от концентрации бора, мы можем получать структуры под электронные компоненты различных назначений, которые способны работать в критических и экстремальных условиях, в первую очередь в космосе», — рассказал Зубков. По его словам, базовая основа микроэлектроники, кремний, сегодня подходит к пределам своих возможностей — при высоких температурах, воздействии радиации полупроводниковые свойства материала деградируют. Также кремний имеет ряд структурных ограничений при создании микроэлектроники на новых физических принципах. Сам по себе алмаз — диэлектрик, не проводящий электрический ток. Но если в его кристаллическую структуру добавить бор, то с этой примесью он превращается в полупроводник. Алмазы для таких целей экономнее всего выращивать искусственно, добавляя в него бор. Ученые смогли точно определять концентрацию добавленного бора в наноразмерных слоях алмаза методом инфракрасной спектроскопии. С полученными данными специалисты разработали математическую модель, которая позволяет рассчитывать необходимые концентрации бора в наноразмерных слоях полупроводниковых структур. Материалы для исследований предоставил отечественный производитель алмазных структур «НПК «Алмаз». Ранее петербургские ученые разработали прибор для бесконтактного определения возраста деревьев.